Study on the failure temperature of Ti/Pt/Au and Pt5Si2-Ti/Pt/Au metallization systems

The Ti/Pt/Au metallization system has an advantage of resisting KOH or TMAH solution etching. To form a good ohmic contact, the Ti/Pt/Au metallization system must be alloyed at 400℃. However, the process temperatures of typical MEMS packaging technologies, such as anodic bonding, glass solder bondin...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	半导体学报：英文版 2017-09, Vol.38 (9), p.99-102
1. Verfasser:	Jie Zhang Jianqiang Han Yijun Yin Lizhen Dong Wenju Niu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	MEMS 失效温度 封装技术 成矿系统 欧姆接触 金属化系统 钛 铂
Online-Zugang:	Volltext
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