On the reverse leakage current of Schottky contacts on free-standing GaN at high reverse biases

In this work, a dislocation-related tunneling leakage current model is developed to explain the temperature-dependent reverse current–voltage（I–V –T） characteristics of a Schottky barrier diode fabricated on free-standing GaN substrate for reverse-bias voltages up to-150 V. The model suggests that t...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2017-02, Vol.26 (2), p.403-405
1. Verfasser:	雷勇 苏静 吴红艳 杨翠红 饶伟锋
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	dislocations homoepitaxial GaN ideality factor leakage current Schottky contact tunneling 偏压 偏置电压 反向漏电流 氮化镓 温度依赖性 电流模型 肖特基二极管 肖特基接触
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