Growth and Characterization of InAs1-xSbx with Different Sb Compositions on GaAs Substrates

InAs1-xSbx with different compositions is grown by molecular beam epitaxy on （100）-oriented semi-insulating GaAs substrates. The increase of Sb content in the epilayer results in the deterioration of crystal quality and surface morphology. Hall measurements show that the carrier concentration increa...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理快报：英文版 2015-10 (10), p.89-92
1. Verfasser:	孙庆灵 王禄 王文奇 孙令 李美成 王文新 贾海强 周均铭 陈弘
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	GaAs衬底 分子束外延生长 成份 晶体质量 组成 表征 表面形貌 载流子浓度
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