Temperature dependences of ferroelectricity and resistive switching behavior of epitaxial BiFeO_3 thin films

We investigate the resistive switching and ferroelectric polarization properties of high-quality epitaxial BiFeO3 thin films in various temperature ranges. The room temperature current-voltage（I-V） curve exhibits a well-established polarization-modulated memristor behavior. At low temperatures（〈 253...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2015 (10), p.510-517
1. Verfasser:	芦增星 宋骁 赵丽娜 李忠文 林远彬 曾敏 张璋 陆旭兵 吴素娟 高兴森 严志波 刘俊明
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	BiFeO3薄膜 I-V特性 开关行为 温度范围 电流-电压 电阻 空间电荷限制电流 铁电薄膜
Online-Zugang:	Volltext
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