Design and implementation of 83-nm low noise InP-based InAIAs/InGaAs PHEMTs

83-nm T-shaped gate InP-based In0.52Al0.48As/In0.65Ga0.35As pseudomorphic high electron mobility transistors （PHEMTs） with excellent DC and RF performance as well as low noise characteristics are reported, including a maximum saturation current density/ass of 894 mA/mm, a maximum extrinsic transcond...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	半导体学报：英文版 2015 (8), p.83-87
1. Verfasser:	王志明 赵卓彬 胡志富 黄辉 崔玉兴 孙希国 默江辉 李亮 付兴昌 吕昕
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	GHz InGaAs InP基 PHEMT 低噪声 参数测量 设计 赝配高电子迁移率晶体管
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