Design of high reliability RF-LDMOS by suppressing the parasitic bipolar effect using enhanced p-weU and double epitaxy

A laterally diffused metal-oxide-semiconductor （LDMOS） device design with an enhanced p-well and double p-epitaxial structure is investigated for device ruggedness improvement while keeping its high device per- formance under high frequency. Based upon the device design, radio-frequency （RF） LDMOS t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	半导体学报：英文版 2015 (6), p.93-98
1. Verfasser:	徐向明 黄景丰 遇寒 钱文生 周正良 韩波 王勇 王鹏飞 张卫
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	LDMOS晶体管 全球移动通信系统 双极 射频 无线电频率 设计 金属氧化物半导体 高可靠性
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