Si and Mg pair-doped interlayers for improving performance of AIGaN/GaN heterostructure field effect transistors grown on Si substrate

We report a novel structure of A1GaN/GaN heterostructure field effect transistors （HFETs） with a Si and Mg pair- doped interlayer grown on Si substrate. By optimizing the doping concentrations of the pair-doped interlayers, the mobility of 2DEG increases by twice for the conventional structure under...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2015 (5), p.529-534
1. Verfasser:	倪毅强 贺致远 姚尧 杨帆 周德秋 周桂林 沈震 钟健 郑越 张佰君 刘扬
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlGaN HFET Si衬底 夹层 异质结场效应晶体管 性能 掺杂浓度 高生长
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