Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector

We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes (LEDs) to improve the light extraction efficiency by using a photo-assisted chemical etched GaP:Mg layer. The pyramid patterns were fabricated employing a HF and H202 mixed solu...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:半导体学报:英文版 2015 (2), p.106-110
1. Verfasser: 左致远 夏伟 王钢 徐现刚
Format: Artikel
Sprache:eng
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