Wafer-bonding AIGalnP light emitting diodes with pyramidally patterned metal reflector
We demonstrate and introduce here a pyramidally patterned metal reflector into wafer-bonding AlGaInP light emitting diodes (LEDs) to improve the light extraction efficiency by using a photo-assisted chemical etched GaP:Mg layer. The pyramid patterns were fabricated employing a HF and H202 mixed solu...
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Veröffentlicht in: | 半导体学报:英文版 2015 (2), p.106-110 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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