Short-Term SynapticPlasticity Mimicked on Ionic/Electronic Hybrid Oxide Synaptic Transistor Gated by Nanogranular SiO2 Films

An indium-zinc-oxide （IZO） based ionic/electronic hybrid synaptic transistor gated by field-configurable nanogranular SiO2 films was reported. The devices exhibited a high current ON/OFF ratio of above 107, a high electron mobility of ～14 cm2 V^-1 s^-1 and a low subthreshold swing of ～80 mV/decade....

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	材料科学技术学报：英文版 2014 (11), p.1141-1144
1. Verfasser:	Zhaojun Guo Liqiang Guo Liqiang Zhu Yuejin Zhu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	SiO2薄膜 晶体管 混合氧化物 短期 突触可塑性 纳米颗粒 门控 高电子迁移率
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!