Slurry components of TiO2 thin film in chemical mechanical polishing

A chemical mechanical polishing （CMP） process was selected to smooth TiO2 thin film surface and improve the removal rate. Meanwhile, the optimal process conditions were used in TiO2 thin film CME The effects of silica sols concentration, slurry pH, chelating agent and active agent concentration on s...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	半导体学报：英文版 2014-10 (10), p.190-194
1. Verfasser:	段波 周建伟 刘玉岭 王辰伟 张玉峰
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	二氧化硅溶胶 化学机械抛光 去除速率 工艺条件 材料去除率 浆料成分 纳米TiO2薄膜 表面粗糙度
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