Junctionless Coplanar-Gate Oxide-Based Thin-Film Transistors Gated by AluOa Proton Conducting Films on Paper Substrates

Nanogranular Al2O3 films deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition show a high proton conductivity of -1.25 × 10^-4 S/cm and a huge electric-double-layer （EDL） capacitance of -4.8μF/cm^2 at room temperature. Using nanogranular Al2O3 proton conducting films as gate dielectrics, junctionl...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理快报：英文版 2014 (10), p.157-160
1. Verfasser:	吴国栋 张进 万相
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Al2O3膜 共面 氧化物 等离子体增强化学气相沉积 纸基材 薄膜晶体管 质子传导 质子导电膜
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