Fabricating GeO2 passivation layer by N20 plasma oxidation for Ge NMOSFETs application

In this paper, oxidation of Ge surface by N2O plasma is presented and experimentally demonstrated. Results show that 1.0-nm GeO2 is achieved after 120-s N20 plasma oxidation at 300 ℃. The GeO2/Ge interface is atomically smooth. The interface state density of Ge surface after N20 plasma passivation i...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2014 (6), p.538-541
1. Verfasser:	林猛 安霞 黎明 云全新 李敏 李志强 刘朋强 张兴 黄如
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	MOS场效应管 N20 二氧化锗 制造 界面态密度 离子氧化 钝化层
Online-Zugang:	Volltext
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