一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT

一种新型优化热载流子退化效应的 SOI-LIGBT

提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化．分析了低掺杂 P 阱的宽度和深度对 SOI-LIGBT 器件热载流子可靠性的影响．通过增加低掺杂 P 型阱区的宽度，可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值，从而优化器件的热载流子效应．另外，增加低掺杂 P 型阱区的深度，也会减小器件内部的碰撞电离率，从而减弱器件的热载流子退化．结合低掺杂 P 型阱区的作用和工艺窗口大小的影响，确定低掺杂 P 型阱区的宽度和深度都为2μm．...

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Veröffentlicht in:东南大学学报：英文版 2014, Vol.30 (1), p.17-21
1. Verfasser: 黄婷婷 刘斯扬 孙伟锋 张春伟
Format: Artikel
Sprache:eng
Schlagworte:
优化
热载流子效应
绝缘体上硅
绝缘栅双极型晶体管
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container_title 东南大学学报：英文版
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description 提出了一种新型绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT），该晶体管在沟道下方的 P 型体区旁增加了一个特殊的低掺杂 P 型阱区，在不增加额外工艺的基础上减小了器件线性区电流的退化．分析了低掺杂 P 阱的宽度和深度对 SOI-LIGBT 器件热载流子可靠性的影响．通过增加低掺杂 P 型阱区的宽度，可以减小器件的纵向电场峰值和碰撞电离峰值，从而优化器件的热载流子效应．另外，增加低掺杂 P 型阱区的深度，也会减小器件内部的碰撞电离率，从而减弱器件的热载流子退化．结合低掺杂 P 型阱区的作用和工艺窗口大小的影响，确定低掺杂 P 型阱区的宽度和深度都为2μm．
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