Influence of a drain field plate on the forward blocking characteristics of an AIGaN/GaN high electron mobility transistor

In this paper, the influence of a drain field plate （FP） on the forward blocking characteristics of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor （HEMT） is investigated. The HEMT with only a gate FP is optimized, and breakdown voltage VBR is saturated at 1085 V for gate–drain spacing LGD ≥ 8 μm. On...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2013 (11), p.528-531
1. Verfasser:	赵胜雷 陈伟伟 岳童 王毅 罗俊 毛维 马晓华 郝跃
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlGaN HEMT LDF VBR 场板 晶体管特性 正向阻断电压 高电子迁移率晶体管
Online-Zugang:	Volltext
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