High-mobility germanium p-MOSFETs by using HCI and （NH4）2S surface passivation

To achieve a high-quality high-κ/Ge interfaces for high hole mobility Ge p-MOSFET applications, a simple chemical cleaning and surface passivation scheme is introduced, and Ge p-MOSFETs with effective channel hole mobility up to 665 cm2/V.s are demonstrated on a Ge （111） substrate. Moreover, a physi...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2013 (10), p.504-507
1. Verfasser:	薛百清 王盛凯 韩乐 常虎东 孙兵 赵威 刘洪刚
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	HCl P-MOSFET 化学清洗 应用程序 物理模型 空穴迁移率 表面钝化 锗
Online-Zugang:	Volltext
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