纳米碳颗粒／碳化硅陶瓷基复合材料的氧化行为

以微米硅（Si）和纳米碳黑（Cp）粉体为主要原料，采用经机械化学法合成的碳化硅（SiC）和15％和25％的纳米碳颗粒与碳化硅（Cp-SiC）的复合粉体，并经无压烧结得到了Cp/SiC陶瓷基复合材料，分析了在不同温度条件下Cp／SiC烧结体的氧化行为。结果表明：当温度小于700℃时，Cp/SiC复合陶瓷在空气中的氧化受C—O2反应控制，致使其为均匀氧化；700℃时，氧化后的复合材料显气孔率最大，弯曲强度达极小值；大于700℃，氧化过程受02的气相扩散控制，呈非均匀氧化；700-900℃之间，02通过微裂纹的扩散控制着Cp／SiC的氧化过程；900～1100℃之间，02通过SiC缺陷的扩散控制着C...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	硅酸盐学报 2013, Vol.41 (10), p.1431-1436
1. Verfasser:	陆有军 王燕民 吴澜尔 黄振坤
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	氧化行为 碳化硅 纳米碳颗粒 陶瓷基复合材料
Online-Zugang:	Volltext
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