Study on the relationships between Raman shifts and temperature range for α-plane GaN using temperature-dependent Raman scattering

In this paper,Raman shifts of a-plane GaN layers grown on r-plane sapphire substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition（LPMOCVD） are investigated.We compare the crystal qualities and study the relationships between Raman shift and temperature for conventional a-plane GaN epilay...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国物理B：英文版 2013 (2), p.519-523
1. Verfasser:	王党会 许晟瑞 郝跃 张进成 许天旱 林志宇 周昊 薛晓咏
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlGaN LPMOCVD Voigt函数 低压化学汽相淀积 变温 拉曼位移 拉曼散射 温度范围
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