Fluorine-plasma surface treatment for gate forward leakage current reduction in AIGaN/GaN HEMTs

The gate forward leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors （HEMTs） is investigated. It is shown that the current which originated from the forward biased Schottky-gate contributed to the gate forward leakage current. Therefore, a fluorine-plasma surface treatment is presented t...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	半导体学报 2013 (2), p.37-40
1. Verfasser:	Chen Wanjun Zhang Jing Zhang Bo Chen Kevin Jing
Format:	Artikel
Sprache:	chi
Schlagworte:	AlGaN HEMT器件 栅极 氟 漏电流 等离子体处理 等离子表面处理 高电子迁移率晶体管
Online-Zugang:	Volltext
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