Effect of Deposition Temperature on Dynamics and Mechanism of Deposition for Si-B-C Ceramic from BCla/SiCH3Cl3/H2 Precursor
The deposition rate, phase, chemical composition and microstructure of deposits were determined from 950 to 1100 ℃. With increasing temperature, the deposition rate increases, and the morphology changes from smooth to coarse, meanwhile, the concentration of silicon increases while that of boron decr...
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Veröffentlicht in: | 材料科学技术学报:英文版 2012, Vol.28 (9), p.793-798 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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