Effect of Deposition Temperature on Dynamics and Mechanism of Deposition for Si-B-C Ceramic from BCla/SiCH3Cl3/H2 Precursor

The deposition rate, phase, chemical composition and microstructure of deposits were determined from 950 to 1100 ℃. With increasing temperature, the deposition rate increases, and the morphology changes from smooth to coarse, meanwhile, the concentration of silicon increases while that of boron decr...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:材料科学技术学报:英文版 2012, Vol.28 (9), p.793-798
1. Verfasser: Xinzhang Zuo Litong Zhang Yongsheng Liu Siwei Li Laifei Cheng
Format: Artikel
Sprache:eng
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