The growth and properties of an m-plane InN epilayer on LiAlO2 （100） by metal-organic chemical vapor deposition

The m-plane InN （1 100） epilayers have been grown on a LiAlO2 （1 0 0） substrate by a two-step growth method using a met- al-organic chemical vapor deposition （MOCVD） system. The low temperature InN buffer layer （LT-InN） is introduced to overcome the drawbacks of thermal instability of LiAlO2 （LAO） a...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	中国科学：物理学、力学、天文学英文版 2012, Vol.55 (7), p.1249-1252
1. Verfasser:	XIE ZiLi ZHANG Rong FU DeYi LIU Bin XIU XiangQian HUA XueMei ZHAO Hong CHEN Peng HAN Ping SHI Yi ZHENG YouDou
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	InN X射线衍射 化学气相沉积 原子力显微镜 晶体性能 有机金属 生长方法 铝酸锂
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