The light-enhanced NO2 sensing properties of porous silicon gas sensors at room temperature
The NO2 gas sensing behavior of porous silicon(PS) is studied at room temperature with and without ultraviolet(UV) light radiation.The PS layer is fabricated by electrochemical etching in an HF-based solution on a p +-type silicon substrate.Then,Pt electrodes are deposited on the surface of the PS t...
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Veröffentlicht in: | 中国物理B:英文版 2012-05, Vol.21 (5), p.657-661 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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