Study and optimal simulation of 4H-SiC floating junction Schottky barrier diodes＇ structures and electric properties

This paper stuides the structures of 4H SiC floating junction Schottky barrier diodes. Some structure parameters of devices are optimized with commercial simulator based on forward and reverse electrical characteristics. Compared with conventional power Schottky barrier diodes, the devices are featu...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2010-10, Vol.19 (10), p.505-509
Hauptverfasser:	Ya-Gong, Nan, Hong-Bin, Pu, Lin, Cao, Jie, Ren
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	击穿电压 模拟器 电性能 电气特性 碳化硅 结构参数 肖特基势垒二极管 通态电阻
Online-Zugang:	Volltext
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