Analytical charge control model for AlGaN/GaN MIS-HFETs including an undepleted barrier layer

An analytical charge control model considering the insulator/AlGaN interface charge and undepleted Al-GaN barrier layer is presented for AlGaN/GaN metal-insulator-semiconductor heterostructure field effect transistors （MIS-HFETs） over the entire operation range of gate voltage.The whole process of c...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2010-09, Vol.31 (9), p.25-31
1. Verfasser:	卢盛辉 杜江锋 罗谦 于奇 周伟 夏建新 杨漠华
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	AlGaN MIS系统 二维电子气 异质结场效应晶体管 栅极电压 电荷控制模型 阻隔层 饱和电压
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