Thermal activation of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height

This paper investigates the thermal activation behaviour of current in an inhomogeneous Schottky diode with a Gaussian distribution of barrier height by numerical simulation. The analytical Gaussian distribution model predicted that the I-VT curves may intersect with the possibility of the negative...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics B 2010-09, Vol.19 (9), p.548-558, Article 097304
1. Verfasser:	茹国平 俞融 蒋玉龙 阮刚
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Activation Activation analysis Barriers Electric potential Mathematical analysis Mathematical models Normal distribution Schottky diodes 不均匀 势垒高度 正温度系数 热激活 热电子发射 肖特基二极管 高斯分布模型
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