An optically controlled SiC lateral power transistor based on SiC/SiCGe superjunction structure

An optically controlled SiC/SiCGe lateral power transistor based on superjunction structure has been proposed, in which n-SiCGe/p-SiC superjunction structure is employed to improve device figure of merit. Performance of the novel optically controlled power transistor was simulated using Silvaco Atla...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2010-04 (4), p.17-19
1. Verfasser:	蒲红斌 曹琳 任杰 陈治明 南雅公
Format:	Artikel
Sprache:	chi ; eng
Schlagworte:	SiC 光控 功率晶体管 可见光 碳化硅 结构 近红外光 阿特拉斯
Online-Zugang:	Volltext
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