A 10Gb/s Directly-Modulated 1.3μm InAs/GaAs Quantum-Dot Laser

We demonstrate 10 Gb/s directly-modulated 1.3 μm InAs quantum-dot （QD） lasers grown on GaAs substrates by molecular beam epitaxy. The active region of the QD lasers consists of five-stacked InAs QD layers. Ridge-waveguide lasers with a ridge width of 4 μm and a cavity length of 600 μm are fabricated...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Chinese physics letters 2010, Vol.27 (3), p.181-183
1. Verfasser:	季海铭 杨涛 曹玉莲 徐鹏飞 谷永先 刘宇 谢亮 王占国
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	GaAs 分子束外延生长 波导激光器 直接调制 砷化铟 砷化镓衬底 蚀刻技术 量子点激光器
Online-Zugang:	Volltext
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