Epitaxy and Characteristics of Resonant Cavity LEDs at 650 nm

Resonant-cavity light-emitting diodes （RCLED） at 650 nm wavelength were grown by metal organic chemical vapor deposition. In order to improve the interface quality and reduce the device voltage, an A1GalnP material system has been chosen to grow the top DBRs. The emission properties of the RCLED wer...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	Journal of semiconductors 2009-05, Vol.30 (5), p.47-49
1. Verfasser:	康玉柱 李建军 丁亮 杨臻 韩军 邓军 邹德恕 沈光地
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	发光二极管 发射功率 排放性能 教材体系 电致发光光谱 纳米 谐振腔 金属有机化学气相沉积
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!