纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性
在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。...
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Veröffentlicht in: | Journal of semiconductors 2007, Vol.28 (2), p.265-268 |
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1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | chi |
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container_end_page | 268 |
---|---|
container_issue | 2 |
container_start_page | 265 |
container_title | Journal of semiconductors |
container_volume | 28 |
creator | 高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠 |
description | 在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。 |
format | Article |
fullrecord | <record><control><sourceid>chongqing</sourceid><recordid>TN_cdi_chongqing_backfile_23924825</recordid><sourceformat>XML</sourceformat><sourcesystem>PC</sourcesystem><cqvip_id>23924825</cqvip_id><sourcerecordid>23924825</sourcerecordid><originalsourceid>FETCH-chongqing_backfile_239248253</originalsourceid><addsrcrecordid>eNpjYeA0NDM30TWxNDLjYOAtLs5MMjCwtLAwNjEw4GSwfL5r8_ONm5-unfJ0X8vTeU3PZ2950Trl5dxFT_snPt3Q8mx_w9PWzqczVzyf1fK0Y9vTJe1P-7ued-581rCch4E1LTGnOJUXSnMzKLm5hjh76CZn5OelF2bmpccnJSZnp2XmpMYbGVsamVgYmRoTpQgA-r1ImQ</addsrcrecordid><sourcetype>Publisher</sourcetype><iscdi>true</iscdi><recordtype>article</recordtype></control><display><type>article</type><title>纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性</title><source>Alma/SFX Local Collection</source><creator>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</creator><creatorcontrib>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</creatorcontrib><description>在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。</description><identifier>ISSN: 1674-4926</identifier><language>chi</language><subject>光学特性 ; 纳米孔径垂直腔面发射激光器 ; 输出光功率 ; 近场光学</subject><ispartof>Journal of semiconductors, 2007, Vol.28 (2), p.265-268</ispartof><lds50>peer_reviewed</lds50><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Uhttp://image.cqvip.com/vip1000/qk/94689X/94689X.jpg</thumbnail><link.rule.ids>314,780,784,4022</link.rule.ids></links><search><creatorcontrib>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</creatorcontrib><title>纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性</title><title>Journal of semiconductors</title><addtitle>Chinese Journal of Semiconductors</addtitle><description>在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。</description><subject>光学特性</subject><subject>纳米孔径垂直腔面发射激光器</subject><subject>输出光功率</subject><subject>近场光学</subject><issn>1674-4926</issn><fulltext>true</fulltext><rsrctype>article</rsrctype><creationdate>2007</creationdate><recordtype>article</recordtype><recordid>eNpjYeA0NDM30TWxNDLjYOAtLs5MMjCwtLAwNjEw4GSwfL5r8_ONm5-unfJ0X8vTeU3PZ2950Trl5dxFT_snPt3Q8mx_w9PWzqczVzyf1fK0Y9vTJe1P-7ued-581rCch4E1LTGnOJUXSnMzKLm5hjh76CZn5OelF2bmpccnJSZnp2XmpMYbGVsamVgYmRoTpQgA-r1ImQ</recordid><startdate>2007</startdate><enddate>2007</enddate><creator>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</creator><scope>2RA</scope><scope>92L</scope><scope>CQIGP</scope><scope>W92</scope><scope>~WA</scope></search><sort><creationdate>2007</creationdate><title>纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性</title><author>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-chongqing_backfile_239248253</frbrgroupid><rsrctype>articles</rsrctype><prefilter>articles</prefilter><language>chi</language><creationdate>2007</creationdate><topic>光学特性</topic><topic>纳米孔径垂直腔面发射激光器</topic><topic>输出光功率</topic><topic>近场光学</topic><toplevel>peer_reviewed</toplevel><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</creatorcontrib><collection>中文科技期刊数据库</collection><collection>中文科技期刊数据库-CALIS站点</collection><collection>中文科技期刊数据库-7.0平台</collection><collection>中文科技期刊数据库-工程技术</collection><collection>中文科技期刊数据库- 镜像站点</collection><jtitle>Journal of semiconductors</jtitle></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext</fulltext></delivery><addata><au>高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠</au><format>journal</format><genre>article</genre><ristype>JOUR</ristype><atitle>纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性</atitle><jtitle>Journal of semiconductors</jtitle><addtitle>Chinese Journal of Semiconductors</addtitle><date>2007</date><risdate>2007</risdate><volume>28</volume><issue>2</issue><spage>265</spage><epage>268</epage><pages>265-268</pages><issn>1674-4926</issn><abstract>在850nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400nm×400nm时,在25mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3mw,功率密度约为2mW/μm^2,文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析。</abstract></addata></record> |
fulltext | fulltext |
identifier | ISSN: 1674-4926 |
ispartof | Journal of semiconductors, 2007, Vol.28 (2), p.265-268 |
issn | 1674-4926 |
language | chi |
recordid | cdi_chongqing_backfile_23924825 |
source | Alma/SFX Local Collection |
subjects | 光学特性 纳米孔径垂直腔面发射激光器 输出光功率 近场光学 |
title | 纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性 |
url | https://sfx.bib-bvb.de/sfx_tum?ctx_ver=Z39.88-2004&ctx_enc=info:ofi/enc:UTF-8&ctx_tim=2025-01-11T13%3A16%3A46IST&url_ver=Z39.88-2004&url_ctx_fmt=infofi/fmt:kev:mtx:ctx&rfr_id=info:sid/primo.exlibrisgroup.com:primo3-Article-chongqing&rft_val_fmt=info:ofi/fmt:kev:mtx:journal&rft.genre=article&rft.atitle=%E7%BA%B3%E7%B1%B3%E5%AD%94%E5%BE%84%E5%9E%82%E7%9B%B4%E8%85%94%E9%9D%A2%E5%8F%91%E5%B0%84%E6%BF%80%E5%85%89%E5%99%A8%E7%9A%84%E5%88%B6%E5%A4%87%E5%8F%8A%E7%89%B9%E6%80%A7&rft.jtitle=Journal%20of%20semiconductors&rft.au=%E9%AB%98%E5%BB%BA%E9%9C%9E%20%E5%AE%8B%E5%9B%BD%E5%B3%B0%20%E7%94%98%E5%B7%A7%E5%BC%BA%20%E5%BE%90%E4%BA%91%20%E9%83%AD%E5%AE%9D%E5%B1%B1%20%E9%99%88%E8%89%AF%E6%83%A0&rft.date=2007&rft.volume=28&rft.issue=2&rft.spage=265&rft.epage=268&rft.pages=265-268&rft.issn=1674-4926&rft_id=info:doi/&rft_dat=%3Cchongqing%3E23924825%3C/chongqing%3E%3Curl%3E%3C/url%3E&disable_directlink=true&sfx.directlink=off&sfx.report_link=0&rft_id=info:oai/&rft_id=info:pmid/&rft_cqvip_id=23924825&rfr_iscdi=true |