Effect of inelastic ion collisions on low-gain avalanche detectors explained by an A_Si-Si_i-defect mode
The acceptor removal phenomenon (ARP), which hampers the functionality of low-gain avalanche detectors (LGAD), is discussed in frame of the A_Si-Si_i-defect model. The assumption of fast diffusion of interstitial silicon is shown to be superfluous for the explanation of the B_Si-Si_i-defect formatio...
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Format: | Artikel |
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