Multiple magneto-ionic regimes in Ta/Co\(_{20}\)Fe\(_{60}\)B\(_{20}\)/HfO\(_{2}\)

In Ta/CoFeB/HfO2 stacks a gate voltage drives, in a nonvolatile way, the system from an underoxidized state exhibiting in-plane anisotropy (IPA) to an optimum oxidation level resulting in perpendicular anisotropy (PMA) and further into an overoxidized state with IPA. The IPA\(\,\to\,\)PMA regime is...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	arXiv.org 2021-05
Hauptverfasser:	Pachat, R, Ourdani, D, J W van der Jagt, M -A Syskaki, A Di Pietro, Roussigné, Y, Ono, S, Gabor, M S, Chérif, M, Durin, G, Langer, J, Belmeguenai, M, Ravelosona, D, L Herrera Diez
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Anisotropy Damping Electric potential Oxidation Physics - Applied Physics Physics - Materials Science Spintronics Voltage
Online-Zugang:	Volltext
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