Highly uniform GaSb quantum dots with indirect-direct bandgap crossover at telecom range

We demonstrate a new quantum-confined semiconductor material based on GaSb quantum dots (QDs) embedded in single-crystalline AlGaSb matrix by filling droplet-etched nanoholes. The droplet-mediated growth mechanism allows formation of low QD densities required for non-classical single-QD light source...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	arXiv.org 2021-04
Hauptverfasser:	Abhiroop Chellu, Hilska, Joonas, Penttinen, Jussi-Pekka, Hakkarainen, Teemu
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Alignment Conduction bands Crossovers Droplets Emission Energy gap Gallium antimonides Light sources Line spectra Photoluminescence Physics - Mesoscale and Nanoscale Physics Physics - Optics Quantum confinement Quantum dots Quantum optics Quantum theory Single crystals Telecommunications
Online-Zugang:	Volltext
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