Highly symmetric and tunable tunnel couplings in InAs/InP nanowire heterostructure quantum dots

We present a comprehensive electrical characterization of an InAs/InP nanowire heterostructure, comprising two InP barriers forming a quantum dot (QD), two adjacent lead segments (LSs) and two metallic contacts, and demonstrate how to extract valuable quantitative information of the QD. The QD shows...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	arXiv.org 2019-09
Hauptverfasser:	Thomas, Frederick S, Baumgartner, Andreas, Gubser, Lukas, Jünger, Christian, Fülöp, Gergő, Nilsson, Malin, Rossi, Francesca, Zannier, Valentina, Sorba, Lucia, Schönenberger, Christian
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Couplings Electric contacts Electrical properties Electron tunneling Heterostructures Indium arsenides Indium phosphides Nanotechnology devices Nanowires Physics - Mesoscale and Nanoscale Physics Quantum dots Resonance lines Segments
Online-Zugang:	Volltext
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