Engineering Hybrid Epitaxial InAsSb/Al Nanowire Materials for Stronger Topological Protection

The combination of strong spin-orbit coupling, large \(g\)-factors, and the coupling to a superconductor can be used to create a topologically protected state in a semiconductor nanowire. Here we report on growth and characterization of hybrid epitaxial InAsSb/Al nanowires, with varying composition...

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Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	arXiv.org 2017-12
Hauptverfasser:	Sestoft, Joachim E, Kanne, Thomas, Aske Nørskov Gejl, Merlin von Soosten, Yodh, Jeremy S, Sherman, Daniel, Tarasinski, Brian, Wimmer, Michael, Johnson, Erik, Deng, Mingtang, Nygård, Jesper, Thomas Sand Jespersen, Marcus, Charles M, Krogstrup, Peter
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Composition Crystal structure Epitaxial growth Indium antimonide Indium arsenides Intermetallic compounds Nanowires Phase transitions Physics - Mesoscale and Nanoscale Physics Spin-orbit interactions Topology Wurtzite Zincblende
Online-Zugang:	Volltext
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