Electric breakdown in ultra-thin MgO tunnel barrier junctions for spin-transfer torque switching
Magnetic tunnel junctions for spin-transfer torque switching were prepared to investigate the dielectric breakdown. The breakdown occurs typically at voltages not much higher than the switching voltages, a bottleneck for the implementation of spin-transfer torque Magnetic Random Access Memory. Intac...
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Veröffentlicht in: | arXiv.org 2009-07 |
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Format: | Artikel |
Sprache: | eng |
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Online-Zugang: | Volltext |
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