Electric breakdown in ultra-thin MgO tunnel barrier junctions for spin-transfer torque switching

Magnetic tunnel junctions for spin-transfer torque switching were prepared to investigate the dielectric breakdown. The breakdown occurs typically at voltages not much higher than the switching voltages, a bottleneck for the implementation of spin-transfer torque Magnetic Random Access Memory. Intac...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:arXiv.org 2009-07
Hauptverfasser: Schäfers, M, Drewello, V, Reiss, G, Thomas, A, Thiel, K, Eilers, G, Münzenberg, M, Schuhmann, H, Seibt, M
Format: Artikel
Sprache:eng
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