Dense electron-hole plasma in silicon light emitting diodes

Efficient electroluminescence of silicon light emitting p-n diodes with different sizes and shapes is investigated at room temperature. High quantum efficiency of the diodes, a long linear dependence of the electroluminescence intensity on the diode current and a low energy shift of the emission lin...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	arXiv.org 2008-09
Hauptverfasser:	Altukhov, P D, Kuzminov, E G
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Schlagworte:	Attraction Dependence Diodes Electroluminescence Electrons Emission spectra Energy gap Holes (electron deficiencies) Injection current Line spectra Organic light emitting diodes Overheating Physics - Other Condensed Matter Plasma Plasma pressure Quantum efficiency Silicon
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!

Schreiben Sie den ersten Kommentar!