Formation of SiO2 Air-Gap Patterns Through scCO2 Infusion of NIL Patterned PHEMA

Using templates generated by nanoimprint lithography, we report the fabrication of SiO2 patterns (∼450 nm) line widths over large active surface areas (14.5 cm2). The process involves the patterning of poly(2-hydroxyethyl methacrylate) (PHEMA) using polycarbonate molds followed by tetrachlorosilane...

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Veröffentlicht in:Chemistry of materials 2010-02, Vol.22 (4), p.1445-1451
Hauptverfasser: Ell, John R, Crosby, Todd A, Peterson, Joseph J, Carter, Kenneth R, Watkins, James J
Format: Artikel
Sprache:eng
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