Electric Field Induced Schottky to Ohmic Contact Transition in Fe3GeTe2/TMDs Contacts

Although the two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs) present excellent electrical properties, the contact resistance at the interface of metal/TMDs limits the device performance. Herein, we use 2D metallic Fe3GeTe2 (FGT) as an electrode in contact with TMDs semiconductors MX2 (M = Mo...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

Veröffentlicht in:	ACS applied electronic materials 2023-06, Vol.5 (6), p.3071-3077
Hauptverfasser:	Jiang, Guotao, Hu, Xiaohui, Sun, Litao
Format:	Artikel
Sprache:	eng
Online-Zugang:	Volltext
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!