Dispositifs spintroniques aux noeuds technologiques avancés contenant des quantités réduites de Pt et de Ru

Dans le domaine des technologies de l'information et de la communication (ICT), le développement des mémoires non volatiles est crucial pour réduire la quantité d'énergie nécessaire au stockage et au traitement des données. La mémoire à accès aléatoire STT-MRAM est déjà utilisée comme alte...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Palomino, Alvaro
Format:	Dissertation
Sprache:	eng
Schlagworte:	Anisotropie de forme perpendiculaire Critical materials Durabilité Matériaux critiques Perpendicular shape anisotropy Spintronics Spintronique Stt-Mram Sustainability
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