Double jonction tunnel magnétique avec couche d'assistance commutable pour une mémoire haute performance à écriture par transfert de spin

La réalisation de cellules de mémoire magnétique à accès aléatoire à écriture par couple de transfert de spin (p-STT-MRAM), économes en énergie, est l'un des principaux objectifs vers une large adoption des technologies MRAM. La MRAM combine un ensemble unique d'atouts avec leur endurance,...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Sanchez hazen, Daniel
Format:	Dissertation
Sprache:	eng
Schlagworte:	Assistance layer Couche d'assistance Double jonction tunnel magnétique Double magnetic tunnel junctions Efficacité d'écriture High performance STT-MRAM Mram P-Stt-Mram
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