Redistribution des états de contrainte dans l'alliage germanium-étain pour des applications laser CMOS-compatibles à température ambiante et accordables en longueur d'onde

En raison de leur bande interdite à caractère direct, les semi-conducteurs à base de l'alliage germanium-étain (GeSn) font l'objet d'une attention particulière pour des dispositifs optoélectroniques. Contrairement au germanium pur, l'alliage GeSn possède une transition énergétiqu...

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Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Chretien, Jérémie
Format:	Dissertation
Sprache:	fre
Schlagworte:	Accordabilité Déformation Germanium-Tin Germanium-Étain Laser Semiconducteur Semiconductor Strain Tunable
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