Development of characterization methods for in situ annealing and biasing of semiconductor devices in the TEM

Dans cette thèse, nous abordons les défis rencontrés lors de la caractérisation des mémoires non volatiles par microscopie en transmission in situ. Les innovations récentes menées sur les porte-objets de TEM in situ basés sur l'utilisation de puces en silicium apportent de grands avantages comp...

Ausführliche Beschreibung

Bibliographische Detailangaben

1. Verfasser:	Berthier, Rémy
Format:	Dissertation
Sprache:	eng
Schlagworte:	Device Dispositifs In situ biasing Microscopie électronique à transmission Polarisation in situ Semi-Conducteurs Semiconductor Transmission electron microscopy
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