Analyse de défaillance dans les transistors de puissance grand gap par électroluminescence spectrale

La microscopie à émission de photons spectrale (SPEM) est une technique non destructive utilisée comme outil de localisation des défauts et comme indicateur des mécanismes de défaillance. Cette thèse présente un nouveau système de SPEM développé pour étudier la fiabilité des dispositifs de puissance...

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Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Moultif, Niemat
Format:	Dissertation
Sprache:	fre
Schlagworte:	AlGAN/GaN HEMTs Analyse de défaillance Analyses micro-structurales Caractérisations électriques Diffraction grating Electrical characterizations Electroluminescence ESD Failure analysis HEMTs AlGAN/GaN HTRB Micro-structural analysis MOSFETs SiC Photoémission spectrale RF-HTOL Réseau de diffraction SiC MOSFETs Spectral Photoemission
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