Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés
Les oxydes Ta₂O₅ et du type (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ sont connus pour présenter des propriétés d'optique, de diélectrique high K, de conductivité H+, de photocatalyse de formation de H2 à partir de H2O et de piézoélectricité.Dans cette thèse, des films minces de ces composés ont été préparés par voie c...
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creator | Le gallic, Marie |
description | Les oxydes Ta₂O₅ et du type (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ sont connus pour présenter des propriétés d'optique, de diélectrique high K, de conductivité H+, de photocatalyse de formation de H2 à partir de H2O et de piézoélectricité.Dans cette thèse, des films minces de ces composés ont été préparés par voie chimique. A partir de résultats de diffraction des rayons X et de microscopie électronique à transmission (MET), un mécanisme de transformation de Ta₂O₅ en (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ est proposé.Ce dernier fait intervenir des lacunes de Ta5+ substituées par des protons H+ dans Ta2O5. Une confirmation de ce mécanisme est apporté par la mise au point d'un procédé permettant d'augmenter la concentration en lacunes de Ta5+ substituées par des H+, sous forme de défauts structuraux susceptibles d'améliorer une conductivité H+.Les cations H+ seraient sous forme de groupes hydroxyles pontés Ta-OH-Ta, stables à haute température. L'analyse d'éléments H en spectrométrie de masse des ions secondaires à temps de vol confirme également ce mécanisme. Vis-à-vis de la piézoélectricité, différents changements de groupe d'espace de R3c à R3 et P1 liés à de très grandes déformations sont observés en MET sur la phase (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁.Ces changements résultent de champs électriques qui s'opposent en partie à la traversée du faisceau d'électrons et provoquent des effets électro-mécaniques propres à la piézoélectricité. Ces taux extraordinaires de déformations sont confirmés par des mesures en vibrométrie optique sous champ électrique alternatif, sur des couches (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ de différentes textures.
Ta₂O₅ and (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ type oxides are known to exhibit properties of optic, high K dielectric, photocatalysis for H2 production from H2O and piezoelecticity. In this work, thin films of these compounds were prepared by a chemical process. From X-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) results, a transformation mechanism of Ta₂O₅ into (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ is proposed. This mechanism involves Ta5+ vacancies substitued by H+ cations.A new process confirming this mechanism is to increase the concentration of Ta5+ vacancies substitued by H+ cations, gathered in structural defects which could improved a protonic conductivity.H+ cations would be in the form of bridging hydroxyl groups Ta-OH-Ta, stable at high temperature. Hydrogen analysis by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) confirms also this mechanism.For the piezoelectric property, different changes of space-gr |
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Ta₂O₅ and (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ type oxides are known to exhibit properties of optic, high K dielectric, photocatalysis for H2 production from H2O and piezoelecticity. In this work, thin films of these compounds were prepared by a chemical process. From X-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) results, a transformation mechanism of Ta₂O₅ into (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ is proposed. This mechanism involves Ta5+ vacancies substitued by H+ cations.A new process confirming this mechanism is to increase the concentration of Ta5+ vacancies substitued by H+ cations, gathered in structural defects which could improved a protonic conductivity.H+ cations would be in the form of bridging hydroxyl groups Ta-OH-Ta, stable at high temperature. Hydrogen analysis by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) confirms also this mechanism.For the piezoelectric property, different changes of space-groups R3c to R3 and P1, linked to huge strains were observed by TEM on the (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ phase. Such changes result of electrical fields opposed to the crossing of the electron beam, giving rise to electro-mechanical effects of piezoelectricity. Large strains effects were confirmed by Laser Doppler Vibrometry measurements on (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ layers of different texture subsmitted to alternative electrical fields.</description><language>fre</language><subject>Caracterisations ; Conducteur protonique ; Film mince ; MO CVD ; Piezoelectricity ; Piézoelectricité ; Propriétés structurales et physiques ; Protonic conductor ; Structural properties ; Thin film</subject><creationdate>2014</creationdate><oa>free_for_read</oa><woscitedreferencessubscribed>false</woscitedreferencessubscribed></display><links><openurl>$$Topenurl_article</openurl><openurlfulltext>$$Topenurlfull_article</openurlfulltext><thumbnail>$$Tsyndetics_thumb_exl</thumbnail><link.rule.ids>230,311,780,885,26981</link.rule.ids><linktorsrc>$$Uhttps://www.theses.fr/2014GRENI099/document$$EView_record_in_ABES$$FView_record_in_$$GABES$$Hfree_for_read</linktorsrc></links><search><creatorcontrib>Le gallic, Marie</creatorcontrib><title>Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés</title><description>Les oxydes Ta₂O₅ et du type (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ sont connus pour présenter des propriétés d'optique, de diélectrique high K, de conductivité H+, de photocatalyse de formation de H2 à partir de H2O et de piézoélectricité.Dans cette thèse, des films minces de ces composés ont été préparés par voie chimique. A partir de résultats de diffraction des rayons X et de microscopie électronique à transmission (MET), un mécanisme de transformation de Ta₂O₅ en (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ est proposé.Ce dernier fait intervenir des lacunes de Ta5+ substituées par des protons H+ dans Ta2O5. Une confirmation de ce mécanisme est apporté par la mise au point d'un procédé permettant d'augmenter la concentration en lacunes de Ta5+ substituées par des H+, sous forme de défauts structuraux susceptibles d'améliorer une conductivité H+.Les cations H+ seraient sous forme de groupes hydroxyles pontés Ta-OH-Ta, stables à haute température. L'analyse d'éléments H en spectrométrie de masse des ions secondaires à temps de vol confirme également ce mécanisme. Vis-à-vis de la piézoélectricité, différents changements de groupe d'espace de R3c à R3 et P1 liés à de très grandes déformations sont observés en MET sur la phase (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁.Ces changements résultent de champs électriques qui s'opposent en partie à la traversée du faisceau d'électrons et provoquent des effets électro-mécaniques propres à la piézoélectricité. Ces taux extraordinaires de déformations sont confirmés par des mesures en vibrométrie optique sous champ électrique alternatif, sur des couches (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ de différentes textures.
Ta₂O₅ and (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ type oxides are known to exhibit properties of optic, high K dielectric, photocatalysis for H2 production from H2O and piezoelecticity. In this work, thin films of these compounds were prepared by a chemical process. From X-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) results, a transformation mechanism of Ta₂O₅ into (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ is proposed. This mechanism involves Ta5+ vacancies substitued by H+ cations.A new process confirming this mechanism is to increase the concentration of Ta5+ vacancies substitued by H+ cations, gathered in structural defects which could improved a protonic conductivity.H+ cations would be in the form of bridging hydroxyl groups Ta-OH-Ta, stable at high temperature. Hydrogen analysis by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) confirms also this mechanism.For the piezoelectric property, different changes of space-groups R3c to R3 and P1, linked to huge strains were observed by TEM on the (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ phase. Such changes result of electrical fields opposed to the crossing of the electron beam, giving rise to electro-mechanical effects of piezoelectricity. Large strains effects were confirmed by Laser Doppler Vibrometry measurements on (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ layers of different texture subsmitted to alternative electrical fields.</description><subject>Caracterisations</subject><subject>Conducteur protonique</subject><subject>Film mince</subject><subject>MO CVD</subject><subject>Piezoelectricity</subject><subject>Piézoelectricité</subject><subject>Propriétés structurales et physiques</subject><subject>Protonic conductor</subject><subject>Structural properties</subject><subject>Thin film</subject><fulltext>true</fulltext><rsrctype>dissertation</rsrctype><creationdate>2014</creationdate><recordtype>dissertation</recordtype><sourceid>RS3</sourceid><recordid>eNrjZEh2y8zJLVbIzcxLTi1WSElVCEl81NTk_6ipVSG1REHDD8ib7P2oqfFRUzeQpQmUAylo8QcLNSpoVNga6FkaaypYKRSXFJUml5QWAY0B6iwoyi8oyjy8suTwymIeBta0xJziVF4ozc0g7-Ya4uyhm5iUWhxfkpFaDKSMDAxN3INc_TwNLC2NCasAANnBQ44</recordid><startdate>20141110</startdate><enddate>20141110</enddate><creator>Le gallic, Marie</creator><scope>AOWWY</scope><scope>RS3</scope><scope>~IT</scope></search><sort><creationdate>20141110</creationdate><title>Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés</title><author>Le gallic, Marie</author></sort><facets><frbrtype>5</frbrtype><frbrgroupid>cdi_FETCH-abes_theses_2014GRENI0993</frbrgroupid><rsrctype>dissertations</rsrctype><prefilter>dissertations</prefilter><language>fre</language><creationdate>2014</creationdate><topic>Caracterisations</topic><topic>Conducteur protonique</topic><topic>Film mince</topic><topic>MO CVD</topic><topic>Piezoelectricity</topic><topic>Piézoelectricité</topic><topic>Propriétés structurales et physiques</topic><topic>Protonic conductor</topic><topic>Structural properties</topic><topic>Thin film</topic><toplevel>online_resources</toplevel><creatorcontrib>Le gallic, Marie</creatorcontrib><collection>Theses.fr (Open Access)</collection><collection>Theses.fr</collection><collection>Thèses.fr</collection></facets><delivery><delcategory>Remote Search Resource</delcategory><fulltext>fulltext_linktorsrc</fulltext></delivery><addata><au>Le gallic, Marie</au><format>dissertation</format><genre>dissertation</genre><ristype>THES</ristype><btitle>Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés</btitle><date>2014-11-10</date><risdate>2014</risdate><abstract>Les oxydes Ta₂O₅ et du type (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ sont connus pour présenter des propriétés d'optique, de diélectrique high K, de conductivité H+, de photocatalyse de formation de H2 à partir de H2O et de piézoélectricité.Dans cette thèse, des films minces de ces composés ont été préparés par voie chimique. A partir de résultats de diffraction des rayons X et de microscopie électronique à transmission (MET), un mécanisme de transformation de Ta₂O₅ en (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ est proposé.Ce dernier fait intervenir des lacunes de Ta5+ substituées par des protons H+ dans Ta2O5. Une confirmation de ce mécanisme est apporté par la mise au point d'un procédé permettant d'augmenter la concentration en lacunes de Ta5+ substituées par des H+, sous forme de défauts structuraux susceptibles d'améliorer une conductivité H+.Les cations H+ seraient sous forme de groupes hydroxyles pontés Ta-OH-Ta, stables à haute température. L'analyse d'éléments H en spectrométrie de masse des ions secondaires à temps de vol confirme également ce mécanisme. Vis-à-vis de la piézoélectricité, différents changements de groupe d'espace de R3c à R3 et P1 liés à de très grandes déformations sont observés en MET sur la phase (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁.Ces changements résultent de champs électriques qui s'opposent en partie à la traversée du faisceau d'électrons et provoquent des effets électro-mécaniques propres à la piézoélectricité. Ces taux extraordinaires de déformations sont confirmés par des mesures en vibrométrie optique sous champ électrique alternatif, sur des couches (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ de différentes textures.
Ta₂O₅ and (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ type oxides are known to exhibit properties of optic, high K dielectric, photocatalysis for H2 production from H2O and piezoelecticity. In this work, thin films of these compounds were prepared by a chemical process. From X-ray diffraction and transmission electron microscopy (TEM) results, a transformation mechanism of Ta₂O₅ into (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ is proposed. This mechanism involves Ta5+ vacancies substitued by H+ cations.A new process confirming this mechanism is to increase the concentration of Ta5+ vacancies substitued by H+ cations, gathered in structural defects which could improved a protonic conductivity.H+ cations would be in the form of bridging hydroxyl groups Ta-OH-Ta, stable at high temperature. Hydrogen analysis by Time-of-Flight Secondary Ion Mass Spectrometry (ToF-SIMS) confirms also this mechanism.For the piezoelectric property, different changes of space-groups R3c to R3 and P1, linked to huge strains were observed by TEM on the (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ phase. Such changes result of electrical fields opposed to the crossing of the electron beam, giving rise to electro-mechanical effects of piezoelectricity. Large strains effects were confirmed by Laser Doppler Vibrometry measurements on (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ layers of different texture subsmitted to alternative electrical fields.</abstract><oa>free_for_read</oa></addata></record> |
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source | Theses.fr |
subjects | Caracterisations Conducteur protonique Film mince MO CVD Piezoelectricity Piézoelectricité Propriétés structurales et physiques Protonic conductor Structural properties Thin film |
title | Films minces de Ta₂O₅ et (NaₓK₁₋ₓ)₂Ta₄O₁₁ (x=0.93) : structures et propriétés |
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