A model structure for interfacial phase change memories: Epitaxial trigonal Ge1Sb2Te4 von Hardtdegen, H., Rieß, S., Schuck, M., Keller, K., Jost, P., Du, H., Bornhöfft, M., Schwedt, A., Mussler, G., v.d. Ahe, M., Mayer, J., Roth, G., Grützmacher, D., Mikulics, M.

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Epitaxial growth and characterization of Fe thin films on wurtzite GaN(0 0 0 1) von Meijers, R., Calarco, R., Kaluza, N., Hardtdegen, H., Ahe, M.v.d., Bay, H.L., Lüth, H., Buchmeier, M., Bürgler, D.E.

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On the influence of gas inlet configuration with respect to homogeneity in a horizontal single wafer MOVPE reactor von Hardtdegen, Hilde, Kaluza, Andreas, Gauer, D., Ahe, M.v.d., Grimm, M., Kaufmann, P., Kadinski, L.

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MOMBE and characterization of InAs and (Al,Ga)Sb von Ungermanns, Ch, Hardtdegen, H, Matt, M, Förster, A, Ahe, M.v.d, Carius, R, Schmidt, R, Lüth, H

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Contributions to understanding the optical properties of partially ordered (Al0.3Ga0.7)0.52In0.48P von SCHMIDT, R, AHE, M. V. D, DIEKER, C, GAUER, D, HARDTDEGEN, H, HAUCK, T, LUYSBERG, M, MEERTENS, D, SCHMITZ, D

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Optimization of III/V binary growth with RHEED in MOMBE von UNGERMANNS, C, AHE, M. V. D, LÜTH, H, CARIUS, R, FÖRSTER, A, HOLLFELDER, M, HARDTDEGEN, H, MATT, M, NICOLL, K, SCHMIDT, R, SETZER, B

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