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Optical Properties of Vanadium in 4H Silicon Carbide for Quantum Technology
Veröffentlicht in Physical review applied
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Thick Silicon Carbide Homoepitaxial Layers Grown by CVD Techniques
Veröffentlicht in Chemical vapor deposition
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Publisher’s Note: Divacancy in 4H-SiC [Phys. Rev. Lett. 96 , 055501 (2006)]
Veröffentlicht in Physical review letters
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Optical Properties of Vanadium in 4H Silicon Carbide for Quantum Technology
Veröffentlicht in arXiv.org
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Optical Properties of Vanadium in 4 H Silicon Carbide for Quantum Technology
Veröffentlicht in Physical review applied
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Structural instabilities in growth of SiC crystals
Veröffentlicht in Journal of crystal growth
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Enzymatic method for assaying calcium in serum with Ca++ -ATPase
Veröffentlicht in Experimental & molecular medicine
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