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    Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface

    Relationship between band-offset, gate leakage current, and interface states density at SiO2/4H-SiC (000-1) interface von Indari, Efi Dwi, Yamashita, Yoshiyuki, Hasunuma, Ryu, Nagata, Takahiro, Ueda, Shigenori, Yamabe, Kikuo

    Veröffentlicht in AIP advances

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