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    Strong evidence for diffusion of point defects in GaInN/GaN quantum well structures

    Strong evidence for diffusion of point defects in GaInN/GaN quantum well structures von de Vasconcellos Lourenço, R., Horenburg, P., Farr, P., Bremers, H., Rossow, U., Hangleiter, A.

    Veröffentlicht in AIP advances

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