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Spatial distribution of interface traps in DeMOS transistors
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A new method for the analysis of high-resolution SILC data
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High-resolution SILC measurements of thin SiO2 at ultra low voltages
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High electrical resistivity of CVD-diamond
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Bimodal failure behaviour of metal film resistors
Veröffentlicht in Quality and reliability engineering international
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The time of “guessing” your failure time distribution is over
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