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Reactive ion etching of SiGe alloys using HBr
Veröffentlicht in Applied physics letters
VolltextArtikel -
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75-GHz fT SiGe-base heterojunction bipolar transistors
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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Reactive ion etching of SiGe alloys using CF2Cl2
Veröffentlicht in Journal of applied physics
VolltextArtikel -
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