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Isolated nanographene crystals for nano-floating gate in charge trapping memory
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Unification of three multiphonon trap-assisted tunneling mechanisms
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Highly Stable Radiation-Hardened Resistive-Switching Memory
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PSM control technique for primary-side regulating fly-back converters
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Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device
Veröffentlicht in IEEE electron device letters
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